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[行业] 中芯国际12nm工艺开发获突破:功耗减少20%

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发表于 2019-2-16 19:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
IT之家2月16日消息 本月14日中芯国际发布2018年Q4财报,财报显示,2018年第四季度,中芯国际营收为7.88亿美元,同比持平,但较上季度减少7.4%;毛利润1.34亿美元,同比下降9.7%,经营亏损4093万美元,净利润为2652万美元,同比减少44.4%。



中芯国际联席CEO梁孟松在财报中表示,“中芯国际第一代FinFET 14nm工艺已经进入客户验证阶段,产品可靠度与良率进一步提升,同时12nm工艺开发也取得突破”。

现据第一财经报道,在2月15日举行的财报说明会上,梁孟松指出,营收环比下降是由于季节性因素以及需求疲软。并且梁孟松更新了中芯国际在先进工艺上的最新进展。他指出,14nm第一版的工艺设计包已经送出,良率已经得到改善。与14nm相比,12nm工艺的产品功耗减少20%,性能提高10%,面积减少20%。

联席CEO赵海军指出,2019年14nm将进入量产,同时也在攻坚12nm,客户可以根据产品选择不同的工艺。赵海军还表示,整体经济环境和行业需求的不确定性已经渗透到该公司及其客户,2019年第一季度对于行业和中芯国际的大部分业务来说都非常有挑战。

按工艺划分,中芯国际的主要收入来源仍然来自40/45nm和55/65nm,分别占四季度总营收的20.3%和23.0%,28nm只占其四季度收入的5.4%。这与行业领军企业台积电相比还有较大差距,在台积电1月中旬发布的2018年四季度财报中,先进制程7nm和16/20nm半导体出货占第四季度晶圆销售额比重分别为23%和21%,28nm占17%。

梁孟松指出:“我们努力建立先进工艺全方位的解决方案,特别专注在FinFET技术的基础打造,平台的开展,以及客户关系的搭建。研发积极创新,优化产线,强化设计,争取潜在市场,我们对于未来的机会深具信心。”

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